特許

J-GLOBAL ID：200903031047003014

プラズマ処理装置及び半導体ウエハの成膜加工方法

発明者： 白川 憲次 ,  江島 泰蔵
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-210004
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078392
出願日： 1994年09月02日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 半導体エッチング装置において、反応生成物の付着及びウエハへの金属汚染の防止をでき、クリーニングが簡素化できるプラズマ処理装置及び半導体ウエハの成膜方法を得る。【構成】 反応容器2内にインナーチャンバー1を設置し、そのインナーチャンバー1を高温ガスあるいはヒーターにより加熱することで、反応生成物のインナーチャンバー1への付着を防止し、反応容器2内をインナーチャンバー1で分離する構造で反応容器2からの金属汚染を防止する。

請求項（抜粋）：

反応ガスを励起させプラズマを生成することにより半導体ウエハ表面の微細加工を行うプラズマ処理装置において、反応容器内にインナーチャンバーを設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/302 C ,  H01L 21/302 N