特許

J-GLOBAL ID：200903031053482838

半導体装置

発明者： 菅原 健二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-039985
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243429
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】パッケージを低熱抵抗化かつ高速化対応することにより高集積化かつ高速化した半導体素子を搭載した半導体装置を実現する。【構成】導電体基板上に半導体素子を搭載し、半導体素子から発生した熱は、この導電体基板から放散することにより高消費電力化に対応する。また、半導体素子への電源供給は、導電体基板とその上に誘電体を介して形成された電源プレートパターンにより行なうことで、低インダクタンス化をはかり、電源ノイズの発生を低減し、高速化対応とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

導電体基板の少なくとも片面に、配線パターンを有する絶縁層が設けられ、前記導電体基板に半導体素子が搭載されて、前記配線パターンと前記半導体素子上の電極が、金属細線により電気的に接続された後に、樹脂にて封止された半導体装置において、前記導電体基板が半導体素子のサブ電位の外部リードと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/34 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/12 301