特許
J-GLOBAL ID：200903031055866277

フリップチップ型半導体発光素子とその製造方法及び発光ダイオードランプ並びに表示装置、フリップチップ型半導体発光素子用電極

発明者：
竹内 良一

竹内 良一 について

, 
鍋倉 亙

鍋倉 亙 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-342566
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151739
出願日： 2000年11月09日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：
【要約】【課題】 高輝度で実装配線が容易なフリップチップ型半導体発光素子および発光ダイオードランプを提供する。【解決手段】 透明半導体層の一方の片面上に、半導体層の積層体からなる発光部構造と該透明半導体層とオーミック接触をなす第2の電極とを具備し、該発光部構造の反対側の表面には、該発光部構造の最表面の半導体層とオーミック接触をなす第1の電極を備え、該第1の電極表面には発光に対し反射能を有する金属薄膜からなる電流拡散層が設けられてなる構造のフリップチップ型半導体発光素子とした。また、発光ダイオードランプは電極接続端子を設けた基材の上に、上記半導体発光素子を転倒させて載置し、封止材で密封した構造とした。
請求項（抜粋）：
第2導電型を有し、発光部からの発光に対して透明な透明半導体層と、該透明半導体層の一方の面上に順次積層された第2導電型半導体層と第1導電型半導体層とからなり、pn接合構造の発光部を有する半導体層と、前記透明半導体層と反対側の第1導電型半導体層の表面の一部に分散して形成された、第1導電型半導体層とオーミック接触する第1の電極と、該第1の電極が形成された第1導電型半導体層の表面上に、第1導電型半導体層と第1の電極とを覆って形成された電流拡散層と、前記透明半導体層または第2導電型半導体層の第1導電型半導体層がある側の表面の一部に形成された、電流拡散層と電気的に分離され、かつ透明半導体層または第2導電型半導体層とオーミック接触する第2の電極とを備えたことを特徴とするフリップチップ型半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 B
Fターム (12件)：
5F041CA13 ,  5F041CA34 ,  5F041CA37 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA19 ,  5F041DA35 ,  5F041DA43
引用特許：
審査官引用 (9件)
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