特許

J-GLOBAL ID：200903031058320720

太陽電池及びその製造方法

発明者： 池田 光佑 ,  西谷 幹彦 ,  和田 隆博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-265082
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125207
出願日： 1994年10月28日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 半導体1の光吸収層/半導体2の中間層/半導体3の窓層の少なくとも三層構成とすることにより、変換効率を向上した太陽電池を提供する。【構成】 電極層を設けた基板または電極性を備えた金属基板1の上に順次、光吸収層2、中間層3、窓層4、透明導電層5が配置されている。金属基板上に、電子親和力がχ<SB>1 </SB>で仕事関数がΦ<SB>1 </SB>でかつバンドギャップエネルギーがE<SB>g1</SB>であるp型の半導体の光吸収層、電子親和力がχ<SB>2 </SB>で仕事関数がΦ<SB>2 </SB>でかつバンドギャップエネルギーがE<SB>g2</SB>である半導体の中間層、その上に電子親和力がχ<SB>3 </SB>で仕事関数がΦ<SB>3 </SB>でかつバンドギャップエネルギーがE<SB>g3</SB>であるn型の半導体の窓層、透明導電層を順次積層し、しかもχ<SB>1 </SB>〜χ<SB>2 </SB>〜χ<SB>3 </SB>、Φ<SB>1 </SB>>Φ<SB>2 </SB>>Φ<SB>3 </SB>でかつE<SB>g1</SB><E<SB>g2</SB><E<SB>g3</SB>とする。

請求項（抜粋）：

電極層を設けた基板または電極性を備えた金属基板上に、p型の半導体1の光吸収層と、半導体2の中間層と、n型の半導体3の窓層と、透明導電層とを順次積層した太陽電池であって、前記p型の半導体1の光吸収層の電子親和力をχ<SB>1 </SB>、仕事関数をΦ<SB>1 </SB>、バンドギャップエネルギーをE<SB>g1</SB>とし、前記半導体2の中間層の電子親和力をχ<SB>2 </SB>、仕事関数をΦ<SB>2 </SB>、かつバンドギャップエネルギーをE<SB>g2</SB>とし、前記n型の半導体3の窓層の電子親和力をχ<SB>3 </SB>、仕事関数をΦ<SB>3 </SB>、バンドギャップエネルギーをEg<SB>3</SB>としたとき、χ<SB>1 </SB>とχ<SB>2 </SB>とχ<SB>3 </SB>とはほぼ等しく、Φ<SB>1 </SB>>Φ<SB>2 </SB>>Φ<SB>3 </SB>かつE<SB>g1</SB><E<SB>g2</SB><E<SB>g3</SB>なる関係を満たすことを特徴とする太陽電池。