特許

J-GLOBAL ID：200903031058826713

音響エネルギーの横方向の伝搬を制限する超小型超音波トランスデューサ(MUT)基板

発明者： ミラー デイヴィッド ジー
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (3件)： 津軽 進 ,  宮崎 昭彦 ,  青木 宏義
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-516947
公開番号（公開出願番号）：特表2005-507580
出願日： 2002年07月26日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

音響エネルギーの横方向の伝搬を減少又は排除する超小型超音波トランスデューサ(MUT)基板は、通常はバイアと呼ばれ、この基板上に形成される、MUT素子の近くの孔を含む。MUT基板におけるバイアは、MUT基板において横方向に移動する音響エネルギーの伝搬を減少又は排除する。これらバイアは、MUT素子と、MUT基板がその上に取り付けられた集積回路基板の表面にある回路との間に電気接続を供給するためにドープされる。

請求項（抜粋）：

-第1の表面と第2の表面とを含む第1の基板上に形成される複数の超小型超音波トランスデューサ(MUT)素子、及び -前記第1の基板において横方向に移動する音響エネルギーの伝搬を減少させ、各MUT素子と関連する複数のバイア、 を含む超音波トランスデューサ。

IPC (4件)：

H04R19/00 ,  A61B8/00 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00

FI (4件)：

H04R19/00 330 ,  A61B8/00 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00

Fターム (11件)：

4C601EE13 ,  4C601EE30 ,  4C601GB03 ,  4C601GB14 ,  4C601GB20 ,  4C601GB30 ,  4C601GB41 ,  4C601GB43 ,  4C601GB50 ,  5D019AA01 ,  5D019AA25

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-172099