特許
J-GLOBAL ID：200903031068504323
ダイヤモンド電子素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084735
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277798
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 電子の注入効率を高めることにより、発光強度を著しく増加させることができるダイヤモンド電子素子を提供する。【解決手段】 第1のダイヤモンド層1と発光する第2のダイヤモンド層2とが接合されている。また、第2のダイヤモンド層2と第1のダイヤモンド層1を挟むように第1の電極3が設けられている。同様に、第1のダイヤモンド層1と第2のダイヤモンド層2を挟むように第2の電極4が設けられている。そして、第1のダイヤモンド層1の第1の電極3と接する表面近傍は水素化され、水素化領域1aが形成されている。なお、第1のダイヤモンド層1は、例えばアンドープ・ダイヤモンドから構成されており、第2のダイヤモンド層2には、例えばボロン(B)がドーピングされ、第2のダイヤモンド層2はp型半導体となっている。このため、第1のダイヤモンド層1の抵抗は発光する第2のダイヤモンド層2のそれよりも高い。
請求項（抜粋）：
第1のダイヤモンド層と、この第1のダイヤモンド層に接合され発光する第2のダイヤモンド層と、前記第1及び第2のダイヤモンド層に夫々接する第1及び第2の電極と、を有し、前記第1のダイヤモンド層の抵抗は前記第2のダイヤモンド層の抵抗よりも高く、前記第1のダイヤモンド層の前記第1の電極と接する表面の少なくとも一部の領域は水素化されていることを特徴とするダイヤモンド電子素子。
Fターム (15件)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041AA12
, 5F041CA06
, 5F041CA23
, 5F041CA33
, 5F041CA49
, 5F041CA50
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA77
, 5F041CA82
, 5F041CA83
, 5F041FF01
, 5F041FF14
