特許

J-GLOBAL ID：200903031068720948

半導体装置

発明者： 吉田 司 ,  中尾 稔 ,  木村 英人 ,  中島 恒 ,  池村 和弘 ,  高士 孝司
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-121454
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291439
出願日： 1992年04月14日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【構成】 半導体素子が、下記の(A)〜(D)成分を含有するエポキシ樹脂組成物によって樹脂封止されている。(A)エポキシ樹脂。(B)下記の一般式(1)で表されるフェノール樹脂。(C)下記の一般式(2)で表され硬化促進剤。(D)無機質充填剤。【化1】〔上記式(1)において、nは0〜5である。〕【化2】〔上記式(2)において、Rは水素,アルキル基,アルコキシ基またはシクロアルキル基である。〕【効果】 封止樹脂の低吸湿化と低弾性率化をガラス転移温度を低下させることなく実現することができる。したがって、半田実装におけるような過酷な条件においてもパッケージクラックが生じることがなく優れた耐湿および耐熱信頼性を備えている。

請求項（抜粋）：

下記の(A)〜(D)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)エポキシ樹脂。(B)下記の一般式(1)で表されるフェノール樹脂。(C)下記の一般式(2)で表される硬化促進剤。(D)無機充填剤。【化1】〔上記式(1)において、nは0〜5である。〕【化2】〔上記式(2)において、Rは水素,アルキル基,アルコキシ基またはシクロアルキル基である。〕

IPC (4件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 59/68 NLB ,  C08L 63/00 NJS