特許

J-GLOBAL ID：200903031070449151

シリコン膜の形成方法

発明者： 光田 良枝 ,  桑原 創 ,  桐村 浩哉
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 山本 惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-194766
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291045
出願日： 1992年06月29日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】 二重変調をかけた高周波電力を用いる成膜方法を更に改善して、パーティクル発生の抑制と共に、高速成膜を可能にした成膜方法を提供する。【構成】 成膜用の原料ガス16に、シランと不活性ガスとの混合ガスを用いる。また、電極6に対して、高周波電源14aから、元となる高周波信号に対して、それを断続させる第1の変調と、この第1の変調よりも短い周期で断続させる第2の変調とをかけた高周波電力を供給する。

請求項（抜粋）：

電極間の高周波放電によってプラズマを発生させるプラズマCVD法によって基板上にシリコン膜を形成する方法において、原料ガスにシランガスと不活性ガスとの混合ガスを用い、かつ前記電極に、元となる高周波信号に対して、それを断続させる第1の変調と、この第1の変調よりも短い周期で断続させる第2の変調とをかけた高周波電力を供給することを特徴とするシリコン膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/50

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-195273
  
• 特開平2-129377
  
• 特開昭57-023216