特許
J-GLOBAL ID：200903031072406239
電界放出型表示素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
脇 篤夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-303540
公開番号（公開出願番号）：特開平10-134740
出願日： 1996年10月30日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 マイクロ放電を抑制して、効率の良い発光制御を行なう。【解決手段】 アノード電圧が供給される導伝部2A、5Aと、導伝部2A、5Aから導出され電界放出カソード基板から放出される電子を補集する複数のストライプ電極4G1 、4R1 、4B1 ・・・、4Rn-1 、4Bn-1 、ストライプ電極7G2 、7R2 、7B2 ・・・、7Rn 、7Bn と、各ストライプ電極4、7の導出部分に抵抗体部3G1 、3R1 、3B1 ・・・、3Rn-1 、3Bn-1 、抵抗体部6G2 、6R2 、6B2 ・・・、6Gn 、6Rn によってアノード電極2、5を構成する。
請求項（抜粋）：
電界放出カソード基板と、前記電界放出カソード基板と離隔して配置されるアノード基板によって構成されている電界放出型表示素子において、前記アノード基板は少なくとも、アノード電圧が供給される導電部と、前記導電部から表示面を形成するように導出され前記電界放出カソード基板から放出される電子を補集する複数のアノードと、前記各アノードの導出部分に設けられるとともに、前記各ストライプ電極の配置位置に応じて異なる抵抗値を有している抵抗体部と、によって構成されていることを特徴とする電界放出型表示素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 31/12 C
, H01J 31/15 D
