n型ダイヤモンド半導体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-349050
公開番号（公開出願番号）：特開平10-194889
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月28日
要約：

【要約】【解決手段】ダイヤモンド半導体中に、Se,S,Br,Iなどの炭素原子より電気陰性度が大きく、且つイオン化ポテンシャルが炭素原子同士の単結合のそれ(13.831eV)以下で、5価以上の原子をドナー原子として添加したn型ダイヤモンド半導体。【効果】本願発明者らの得た理論的な考察に基づいて従来では考えられなかった原子をドナーとして良好なn型ダイヤモンド半導体を得ることができた。

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド半導体中に、電気陰性度がC原子より大きく、且つイオン化ポテンシャルがC原子同士の単結合のそれ以下で、5価以上の原子をドナー原子として添加したことを特徴とするn型ダイヤモンド半導体。

IPC (3件)：

C30B 29/04 , C30B 31/06 , H01L 29/12

FI (3件)：

C30B 29/04 S , C30B 31/06 , H01L 29/14

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭63-302516
特開昭63-302517

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