特許
J-GLOBAL ID：200903031074100269
シリコンエピタキシャル膜の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-007199
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211123
出願日： 1992年01月20日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】膜質を劣化させる事なく成長速度の速いシリコンエピタキシャル膜の成長方法を提供する。【構成】反応管内部に堆積したポリシリコン膜のエッチング工程をエピタキシャル膜の成長工程に入れる。エッチングガスとしてのHClを輸送するためのキャリアガスとして、水素あるいはヘリウムガスを用いる。
請求項（抜粋）：
反応管内に複数のウェーハを所定の間隔でほぼ水平に積み重ねる様にウェーハホールダに保持し、反応ガス放出孔を有するノズル管より、前記ウェーハの夫々の被成長面に反応ガスを流し、エピタキシャル膜を形成するシリコンエピタキシャル膜の成長方法において、アルゴン,窒素あるいはキセノンガスをキャリアガスとしてシラン系の反応ガスを供給してエピタキシャル膜を成長する工程とこの成長工程の前あるいは後にHClガスを供給する工程とを有することを特徴とするシリコンエピタキシャル膜の成長方法。
IPC (2件)：
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