特許
J-GLOBAL ID：200903031079286336
電子デバイス用基板およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
光石 俊郎
, 田中 康幸
, 松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-136262
公開番号（公開出願番号）：特開2008-294110
出願日： 2007年05月23日
公開日（公表日）： 2008年12月04日
要約：
【課題】単純な工程で製造でき、グラファイト膜と基板との接着力を向上させた電子デバイス用基板の製造方法を提供することにある。【解決手段】シリコン基板1の表面にシラノール基を形成するシラノール基形成工程と、グラファイト膜14の表面に水酸基を形成する水酸基形成工程と、シラノール基が形成されたシリコン基板1に水酸基が形成されたグラファイト膜14を加圧しながら熱処理しシリコンカーバイト結合を生じさせてシリコン基板1とグラファイト膜14と接合する接合工程とを有するようにした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコン基板の表面にシラノール基を形成するシラノール基形成工程と、
グラファイト膜の表面に水酸基を形成する水酸基形成工程と、
シラノール基が形成されたシリコン基板に水酸基が形成されたグラファイト膜を加圧しながら熱処理しシリコンカーバイト結合を生じさせて当該シリコン基板と当該グラファイト膜とを接合する接合工程とを有する
ことを特徴とする電子デバイス用基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/02 B
, H01L27/12 B
