特許

J-GLOBAL ID：200903031081536315

不揮発性半導体記憶装置の読み出し回路

発明者： 大平 豊
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-267117
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100185
出願日： 1998年09月21日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】不揮発性半導体記憶装置の読み出し時の、不揮発性半導体記憶素子のスレッショルド電圧の変化の防止と、読み出し時の消費電流の減少。【解決手段】充電された容量の電荷を不揮発性半導体記憶素子のスレッショルド電圧の値に伴い放電させ、容量の電荷を検出することにより、読み出しを行う。また、その時の容量の充電電圧を低く設定すること。【効果】読み出し時における不揮発性半導体記憶素子のスレッショルド電圧の低下を防止し、消費電流をおさえる効果を有する。

請求項（抜粋）：

電気的に書き換え可能な不揮発性半導体記憶素子と、容量と、前記不揮発性半導体記憶素子のスレッショルド電圧の値に伴い前記容量の充電された電荷を放電する放電回路と前記容量を充電する充電回路と前記容量に充電された電荷を検出する電荷検出回路より構成されることを特徴とした不揮発性半導体記憶装置の読み出し回路。

IPC (6件)：

G11C 16/06 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

G11C 17/00 634 B ,  H01L 27/10 481 ,  G11C 17/00 634 E ,  H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 633 B ,  H01L 27/10 434

Fターム (20件)：

5B025AA01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD03 ,  5B025AD05 ,  5B025AE06 ,  5F001AA01 ,  5F001AB02 ,  5F001AB09 ,  5F001AC02 ,  5F001AD12 ,  5F001AD33 ,  5F001AD41 ,  5F001AE03 ,  5F001AF05 ,  5F001AF10 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083GA05 ,  5F083GA11 ,  5F083GA30

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-003191