特許
J-GLOBAL ID：200903031084718554

多孔質材料の比誘電率検出方法及び異物検査装置

発明者：
鈴木 新一

鈴木 新一 について

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蜂谷 昌幸

蜂谷 昌幸 について

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大島 良正

大島 良正 について

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宇都 幸雄

宇都 幸雄 について


出願人/特許権者：
日立電子エンジニアリング株式会社

日立電子エンジニアリング株式会社 について

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株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 高橋 浩三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-047512
公開番号（公開出願番号）：特開2003-247940
出願日： 2002年02月25日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：
【要約】【課題】 多孔質材料の比誘電率を簡易な方法又は装置で検出する。【解決手段】 投光系から半導体ウェーハ10へ照射されたレーザー光Lのうち、多孔質膜12の表面下へ透過したレーザー光は多孔質膜12の空孔の界面で散乱されて、散乱光Dが射出される。受光系の散乱光検出レンズ7a,7b,7c,7dは散乱光を集光し、光電変換素子8a,8b,8c,8dは散乱光の強度を電気信号に変換する。アナログ処理回路51は、光電変換素子8a,8b,8c,8dから入力した電気信号について雑音除去やディジタル化等の前処理を行う。誘電率検出回路52は、多孔質膜12の膜厚に応じた比誘電率と散乱光強度との相関関係を計算式として記憶しており、多孔質膜12の膜厚情報を入力して、アナログ処理回路51の出力データと膜厚情報とから多孔質膜12の比誘電率を計算する。
請求項（抜粋）：
多孔質材料の複数の被検査物又はそれらのサンプルの比誘電率及び散乱光強度を測定することにより、予め被検査物の比誘電率と散乱光強度との相関関係を求め、被検査物の散乱光強度を測定して、予め求めた相関関係から被検査物の比誘電率を検出することを特徴とする多孔質材料の比誘電率検出方法。
IPC (4件)：
G01N 21/47 ,  G01B 11/30 ,  G01N 21/956 ,  H01L 21/66
FI (4件)：
G01N 21/47 Z ,  G01B 11/30 Z ,  G01N 21/956 A ,  H01L 21/66 L
Fターム (68件)：
2F065AA49 ,  2F065BB01 ,  2F065CC19 ,  2F065FF44 ,  2F065GG04 ,  2F065HH04 ,  2F065HH08 ,  2F065HH12 ,  2F065JJ02 ,  2F065JJ05 ,  2F065JJ08 ,  2F065JJ17 ,  2F065LL04 ,  2F065LL36 ,  2F065RR06 ,  2G051AA51 ,  2G051AB01 ,  2G051BA05 ,  2G051BA08 ,  2G051BA10 ,  2G051BA11 ,  2G051BB01 ,  2G051BB09 ,  2G051BB20 ,  2G051CA02 ,  2G051CA06 ,  2G051CA07 ,  2G051CB05 ,  2G051DA06 ,  2G051DA07 ,  2G051DA08 ,  2G051EA11 ,  2G051EA16 ,  2G051EB09 ,  2G059AA02 ,  2G059AA03 ,  2G059AA05 ,  2G059BB16 ,  2G059DD13 ,  2G059EE02 ,  2G059EE11 ,  2G059GG01 ,  2G059GG04 ,  2G059GG10 ,  2G059HH02 ,  2G059HH03 ,  2G059HH06 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ20 ,  2G059KK02 ,  2G059KK03 ,  2G059MM01 ,  2G059MM02 ,  4M106AA01 ,  4M106AA20 ,  4M106BA05 ,  4M106BA07 ,  4M106CA17 ,  4M106CA41 ,  4M106CB16 ,  4M106DB08 ,  4M106DH12 ,  4M106DH31 ,  4M106DH38 ,  4M106DJ01 ,  4M106DJ17 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20
引用特許：
出願人引用 (2件)
引用文献：
出願人引用 (3件)

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