特許
J-GLOBAL ID：200903031091684142
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鎌田 文二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-207028
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078615
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 セラミック積層基板の上下両面に半導体素子を実装して実装密度を高めた半導体装置の放熱特性を改善する。【構成】 セラミック積層基板1のキャビティ2内に収納する半導体素子3をキャビティ2の底面ではなく上蓋4と下蓋5の内面に固着実装して放熱路を2つに分け、上蓋4に流れる熱はパッケージ上面に設けた放熱フィン10から空気中に放散し、下蓋5に流れる熱はパッケージ下面の伝熱板11経由でプリント回路基板12に吸収させる。この構造であれば、熱の移動がスムーズになり、放熱効率が高まる。
請求項（抜粋）：
セラミック積層基板の中央上下両面にキャビティを設け、そのキャビティに半導体素子を収納し、各キャビティの入口を上蓋と下蓋で封止する構造の半導体装置において、前記半導体素子を上蓋と下蓋の内面に固着実装し、さらに、パッケージの上面に放熱フィンを、下面に伝熱板を各々追設したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
