特許
J-GLOBAL ID：200903031098353907
太陽電池及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-224727
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070296
出願日： 1996年08月27日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：
【要約】【課題】 太陽電池及びその製造方法において、受光面電極と不純物拡散層との接触抵抗を小さくする。モジュール化に適した反射防止膜を有することにより、大きな短絡電流が得られるようにする。【解決手段】 基板1の受光面に不純物を含む酸化チタン膜2、3が形成される。酸化チタン膜2に含まれる不純物の濃度は酸化チタン膜3に含まれる不純物濃度よりも高濃度となっている。前記受光面で酸化チタン膜2が設けられた部分に受光面電極8が設けられる。前記受光面の裏面に裏面電極6が設けられる。これにより、シリコンの基板1の受光面に不純物を含む酸化チタン膜2、3が設けられ、前記受光面の近傍に不純物拡散層4、5が形成される。
請求項（抜粋）：
シリコンの基板の受光面に不純物を含む酸化チタン膜を設けることにより前記受光面の近傍に不純物拡散層が形成される太陽電池において、前記受光面に不純物を含む第1及び第2の酸化チタン膜が設けられ、前記第1の酸化チタン膜に含まれる不純物の濃度は前記第2の酸化チタン膜に含まれる不純物の濃度よりも高濃度となっており、前記受光面で前記第1の酸化チタン膜が設けられた部分に受光面電極が設けられ、前記受光面の裏面に裏面電極が設けられることを特徴とする太陽電池。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 31/04 H
, H01L 31/04 F
, H01L 31/04 C
