特許
J-GLOBAL ID:200903031104427900
磁気インピーダンス素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
萼 経夫 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-101309
公開番号(公開出願番号):特開2000-292506
出願日: 1999年04月08日
公開日(公表日): 2000年10月20日
要約:
【要約】【課題】 小型で低コスト、高出力、かつ、検出磁界に対する出力の直線性、温度特性に優れた高感度の磁気インピーダンス素子を提供する。【解決手段】 薄膜MIコア5は2個並列配置され、互いに電気的に直列接続されている。薄膜MIセンサ4(薄膜MI素子)のチップサイズを大きくせずに、そのインピーダンスを大きくできるため、小型で高出力の薄膜MIセンサ4が得られる。薄膜MIコア5にはバイアス用薄膜コイル11及び負帰還用薄膜コイル12が形成されており、小型化・量産化が可能となる。構造上、コイルを薄膜MIセンサ4に近づけられるのでコイル効率がよいため、少ない電流で必要なバイアス磁界が得られ、かつ少ない負帰還量で磁界に対する出力の直線性の改善が可能となる。
請求項(抜粋):
非磁性体からなる基板と、該基板上に形成され、その長手方向両端に電極が設けられた薄膜磁気コアとからなる磁気インピーダンス素子において、前記薄膜磁気コアは少なくとも2個以上、並列配置されてなり、かつ、前記それぞれの薄膜磁気コアは互いに電気的に直列接続されていることを特徴とする磁気インピーダンス素子。
IPC (5件):
G01R 33/02
, G11B 5/33
, H01F 10/12
, H01F 21/08
, H01L 43/08
FI (5件):
G01R 33/02 D
, G11B 5/33
, H01F 10/12
, H01F 21/08
, H01L 43/08 Z
Fターム (19件):
2G017AA04
, 2G017AC09
, 2G017AD55
, 2G017AD59
, 2G017AD63
, 2G017AD65
, 2G017BA03
, 2G017BA05
, 2G017BA10
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AC01
, 5E049BA16
, 5E070AA01
, 5E070AB01
, 5E070BA12
, 5E070CB12
, 5E070CB20
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (1件)
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磁気センサ素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-091383
出願人:ミネベア株式会社
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