特許

J-GLOBAL ID：200903031109238692

圧電磁器の製造方法

発明者： 室澤 尚吾 ,  七尾 勝 ,  五木田 佳子
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (1件)： 三反崎 泰司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-073736
公開番号（公開出願番号）：特開2003-267779
出願日： 2002年03月18日
公開日（公表日）： 2003年09月25日
要約：

【要約】【課題】 組成のばらつきを小さくし、特性を向上させることができる圧電磁器の製造方法を提供する。【解決手段】 ペロブスカイト型化合物M1m (Nb1-z Taz )O3 (M1は長周期型周期表1族元素)を主成分として含有する圧電磁器を製造する。原料を混合したのち、ペロブスカイト型化合物の生成開始温度よりも高い温度で複数回にわたり仮焼し、仮焼を繰り返すごとに仮焼温度は前の仮焼温度以上とする。仮焼の繰り返しの間には乾式粉砕・混合を行う。これにより原料を十分に反応させることができ、組成のばらつきを小さくすることができる。

請求項（抜粋）：

ペロブスカイト型化合物を含む圧電磁器の製造方法であって、前記ペロブスカイト型化合物の原料を含む混合物について仮焼したのち焼成する工程を含み、前記仮焼工程では、前記ペロブスカイト型化合物の生成開始温度よりも高い温度で複数回の仮焼を行い、仮焼を繰り返すごとに仮焼温度を前の仮焼温度以上とすることを特徴とする圧電磁器の製造方法。

IPC (4件)：

C04B 35/495 ,  C04B 35/628 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24

FI (4件)：

C04B 35/00 J ,  C04B 35/00 B ,  H01L 41/22 A ,  H01L 41/18 101 Z

Fターム (9件)：

4G030AA01 ,  4G030AA02 ,  4G030AA03 ,  4G030AA04 ,  4G030AA20 ,  4G030AA21 ,  4G030BA10 ,  4G030CA01 ,  4G030GA08