エピタキシャル成長用基板およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-326561
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144014
出願日： 1999年11月17日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】欠陥が少なく結晶性に優れていると共に表面平坦性に優れているエピタキシャル成長用基板、特にAlxGayInzN(x+y+z=1,x,y,z≧0)膜をエピタキシャル成長させるための基板およびその製造方法をを提供する。【解決手段】C面サファイア基板本体11をアンモニア雰囲気に曝して表面に窒化アルミ膜13を数百オングストロームの膜厚に形成した後、サファイア基板本体11をCVD室14に導入し、窒化アルミ膜13の上に、結晶性の良好なAlxGayInzN(x+y+z=1,x,y,z≧0)膜15をエピタキシャル成長により形成する。その後、このAlxGayInzN膜15の表面を化学機械研磨により研磨し、表面を平坦化して、結晶性に優れていると共に表面平坦性に優れたエピタキシャル成長用基板が得られる。このエピタキシャル成長用基板の上にエピタキシャル成長により形成されるAlxGayInzN(x+y+z=1,x,y,z≧0)膜も結晶性が優れていると共に表面平坦性に優れたものとなる。

請求項（抜粋）：

サファイア、SiC、GaNなどの基板本体と、この基板本体の一方の表面に堆積形成されたAlxGayInzN(x+y+z=1,x,y,z≧0)膜とを具え、このAlxGayInzN膜の、前記基板本体とは反対側の表面を研磨により平坦としたことを特徴とするエピタキシャル成長用基板。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 29/38 , H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 29/38 , H01L 33/00 C

Fターム (29件)：

5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA77 , 5F045AB09 , 5F045AB18 , 5F045AC12 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045BB19 , 5F045CA10 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DA55 , 5F045GH09 , 5F045GH10 , 5F045HA06 , 5F052DA04 , 5F052DB01 , 5F052JA08 , 5F052JB10 , 5F052KA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

窒化物半導体素子及び窒化物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-050859 出願人：日亜化学工業株式会社
特開昭63-178516
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-061078 出願人：日本電信電話株式会社

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