特許
J-GLOBAL ID：200903031115816169
薄膜製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 雅生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-139463
公開番号（公開出願番号）：特開平5-078826
出願日： 1991年05月16日
公開日（公表日）： 1993年03月30日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 物理蒸着あるいは化学蒸着法によって加熱基板あるいは冷却基板上に薄膜を作製する場合に、その加熱効率あるいは冷却効率を向上させると同時に成膜初期の基板温度を安定化させる。【構成】 加熱基板2あるいは冷却基板を固定する基板ホルダー4と蒸着源との間の空間でかつ基板ホルダーの近傍に熱シールド体1を配置することを特徴とする薄膜製造装置。【効果】 基板を300°C以上に加熱して成膜する場合、そのヒーター電力を大幅に削減することができ、かつ蒸着開始直後の基板温度の変動およびその変動時間を大幅に抑制し成膜条件の安定化が可能となった。また、基板を冷却する場合もその冷却効率を大幅に向上させることができ、かつ蒸着開始直後の基板温度の変動およびその変動時間を大幅に抑制し成膜条件の安定化が可能となった。
請求項（抜粋）：
物理蒸着法あるいは化学蒸着法により加熱基板上あるいは冷却基板上へ薄膜を作製する場合に、前記基板を固定する基板ホルダーと蒸着源との間の空間でかつ前記基板ホルダーの近傍に熱シールド体を配置することを特徴とする薄膜製造装置。
IPC (3件)：
C23C 14/24
, C23C 14/50
, C23C 16/46
