特許
J-GLOBAL ID：200903031121053363
コーティング率を高める方法、プラズマ放電空間内の塵密度を減少させる方法およびプラズマチャンバ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-094375
公開番号（公開出願番号）：特開平6-346245
出願日： 1994年05月06日
公開日（公表日）： 1994年12月20日
要約：
【要約】【目的】 プラズマ支援される真空コーティングプロセスのコーティング率を増加させると共に、加工される表面の品質を向上させる。【構成】 真空内のプラズマ支援による化学的な蒸発分離方法において、加工率を、それがコーティング率であろうと、あるいはエッチング率であろうと増大させるために、前者の場合には同時にイオンシューティングによる層応力を減少させて、プラズマプロセス空間内で加工表面(62)に沿って分配された所定の塵密度が形成され、かつ維持される。プラズマ(PL)内に捕捉される塵粒子の分配は力の場(Wρ)を発生させることによって制御される。
請求項（抜粋）：
真空内のプラズマ支援の化学的な蒸発分離方法において加工率、特にコーティング率を増大させ、同時にイオンシューティングによる層応力を減少させる方法において、 プラズマ内でほぼ加工面に沿って所定の状態に分配された塵密度が形成されて、維持されることを特徴とするコーティング率を高める方法。
IPC (3件)：
C23C 16/50
, C23C 14/54
, C23F 4/00
