特許

J-GLOBAL ID：200903031124664371

基板の乾式化学機械研磨方法および乾式化学機械研磨装置

発明者： 久保 富美夫 ,  山田 暁
出願人/特許権者： 山田 暁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-269345
公開番号（公開出願番号）：特開2004-106080
出願日： 2002年09月17日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】乾式化学機械研磨方法でマイクロスクラッチのない無攪乱・無欠陥の加工基板を研磨速度を速くして提供する。【解決手段】基板w表面に、該基板のモ-ス硬度と同等または柔らかいモ-ス硬度を有する固型砥粒を結合材で結合してなる研磨加工具部材2の複数を環状に備えた砥石1を押し付け、基板と砥石を摺擦させて基板を乾式で化学機械研磨する方法において、予め乾式研磨する基板面の研削旋条痕に挟まれている研削屑や残滓を超音波洗浄10cで除去したのち、基板を乾式で化学機械研磨する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

基板表面を洗浄液で洗浄して基板の溝や研削条痕に挟まれている加工屑や残滓を除去した後、該基板表面に、該基板のモ-ス硬度と同等または柔らかいモ-ス硬度を有する固型砥粒を結合材で結合してなる研磨加工具部材の複数を環状に備えた砥石を押し付け、相対運動させて基板表面を平坦化することを特徴とする乾式化学機械研磨方法。

IPC (4件)：

B24D7/06 ,  B24B1/00 ,  B24D7/00 ,  H01L21/304

FI (6件)：

B24D7/06 ,  B24B1/00 A ,  B24D7/00 P ,  H01L21/304 621C ,  H01L21/304 622F ,  H01L21/304 622N

Fターム (14件)：

3C049AA04 ,  3C049AA09 ,  3C049CB02 ,  3C063AA02 ,  3C063AB05 ,  3C063BA03 ,  3C063BB01 ,  3C063BC03 ,  3C063BD01 ,  3C063BG07 ,  3C063BH07 ,  3C063CC19 ,  3C063EE10 ,  3C063FF23