特許

J-GLOBAL ID：200903031127705796

磁気抵抗デバイス

発明者： 山本 哲也
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-120249
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307156
出願日： 1996年05月15日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 GMR(巨大磁気抵抗)効果を有する動作領域を持つトランジスタを備えた磁気抵抗デバイスにおいて、動作領域の磁気抵抗の変化率を向上する。前記磁気抵抗デバイスを利用する磁場センサにおいて、感度を向上する。【解決手段】 磁気抵抗デバイスにおいて、GMR効果を有する第1動作領域12と、第1動作領域12の磁性を示す電子のスピン方向の一方の方向にスピン偏極方向を持つスピン偏極電子を選択的に第1動作領域12に注入する第2動作領域13と、を備える。第2動作領域13はスピン偏極電子を注入する非磁性金属体領域13b及び特定方向にスピン偏極方向を持つスピン偏極電子を選択し注入するポテンシャルバリア領域13aで形成される。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗を有する第1動作領域と、前記第1動作領域の磁性を示す電子のスピン方向の一方の方向にスピン偏極方向を持つスピン偏極電子を選択的に前記第1動作領域に注入する第2動作領域と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗デバイス。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/10

FI (3件)：

H01L 43/08 Z ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/10