特許
J-GLOBAL ID：200903031131726595
光電変換素子、光電変換素子の製造方法及び光電変換モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-117124
公開番号（公開出願番号）：特開2001-307786
出願日： 2000年04月18日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：
【要約】【課題】 光電変換特性の安定な光電変換素子と、この光電変換素子を歩留まりよく製造することができる光電変換素子の製造方法を提供する。【解決手段】 光半導体電極3と前記他方の一方の電極5とが絶縁性緩衝材粒子6が分散された硬化型高分子化合物8を介して接着されている光電変換素子。及び、電極の周辺部を封止して両電極間に中空の空隙部分が形成されるとともに該空隙部分が開口部を介して外部空間と接続された素子を作製する工程と、その後、前記開口部より空隙内部と外部との圧力差を利用して電解質溶液を前記空隙部に注入する工程と、その後、前記開口部を封止する工程、とを有し、前記電解質溶液を空隙部に注入するときにのみ電解質溶液が減圧下に保たれる。
請求項（抜粋）：
一対の電極を持ち、少なくとも一方が光半導体電極であり、他方の対向電極との間が電解質溶液層により電気的に接続された光電変換素子において、前記光半導体電極と前記対向電極とが絶縁性緩衝材粒子が分散された硬化型高分子化合物を介して接着されていることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
5F051AA14
, 5H032AA06
, 5H032AS16
, 5H032BB02
, 5H032BB05
, 5H032BB10
, 5H032EE02
, 5H032EE04
, 5H032EE07
, 5H032EE18
, 5H032HH04
