特許

J-GLOBAL ID：200903031131898094

AlGaInP半導体レーザ素子

発明者： 小林 健一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-020245
公開番号（公開出願番号）：特開平6-237038
出願日： 1993年02月08日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】AlGaInP半導体レーザを高温動作させたときの発振しきい値の上昇を少なく押えることを目的とする。【構成】pーAlGaInPクラッド層4中であって、活性層1に隣接する位置に、AlGaInP多層薄膜構造2を配置する。この多層薄膜構造2を構成しているAlGaInP層のうちAl組成の小さい層に引っ張り歪を導入し、活性層1へのZn拡散抑制層としての機能を持たせ、Pクラッド層4中のZnアクセプタ濃度の特性悪化発生上限濃度を高め、その上限近くアクセプタ濃度を高め、キャリアオーバフローを抑制し、高温動作時のしきい値上昇を押える。

請求項（抜粋）：

Al組成を異にする(Alx Ga1-x )Z In1-z P層と(Aly Ga1-y )q In1-q P層(y≧x)とが交互に積層された多層薄膜構造を、活性層を両側より挟み込むクラッド層のうちp型の導電型を有するAlGaInPクラッド層中に前記活性層に隣接して有し、前記多層薄膜構造をなす2つのAlGaInP層のうちAl組成の小さい(Alx Ga1-x )z In1-z P層に引っ張り歪が加わる値に前記(Alx Ga1-x)z In1-z P層におけるAlx Ga1-x の組成比zが選ばれていることを特徴とするAlGaInP半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-158841   出願人：住友電気工業株式会社