特許

J-GLOBAL ID：200903031140846528

半導体装置の製造方法、及び半導体装置

発明者： 横井 直樹
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-197553
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016034
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】 タングステンとシリコンが同時に露出する半導体基板の洗浄工程において、高い洗浄性能と、高いシリコン腐食防止効果とを同時に得る。また、それと同時に、高いタングステン腐食防止効果を得る。【解決手段】 タングステン系部材としてのタングステン膜31と、シリコン系部材としてのポリシリコン膜11が同時に露出した半導体基板1の洗浄工程において、水酸化物と、シリコン腐食防止剤と、有機化合物と、タングステン腐食防止剤としての水溶性有機溶剤とを含む洗浄液を用いる。

請求項（抜粋）：

水酸化物と、水溶性有機溶剤と、下記一般式(I)または(II)で表される化合物と、を含む洗浄液を用いる半導体基板の洗浄工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。HO-{(EO)x-(PO)y}z-H ...(I)R-[{(EO)x-(PO)y}z-H]m ...(II)(上式中、EOはオキシエチレン基、POはオキシプロピレン基、Rはアルコール又はアミンの水酸基の水素原子を除いた残基、又はアミノ酸の水素原子を除いた残基を示す。x,yはx/(x+y)=0.05〜0.4を満たす整数、z,mは正の整数を示す。)

IPC (11件)：

H01L 21/304 647 ,  B08B 3/02 ,  B08B 3/08 ,  B08B 3/12 ,  C11D 1/72 ,  C11D 7/06 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/34 ,  C11D 7/60 ,  H01L 21/306

FI (12件)：

H01L 21/304 647 A ,  B08B 3/02 D ,  B08B 3/08 Z ,  B08B 3/12 A ,  C11D 1/72 ,  C11D 7/06 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/34 ,  C11D 7/60 ,  H01L 21/306 B ,  H01L 21/306 J

Fターム (26件)：

3B201AA02 ,  3B201BB02 ,  3B201BB21 ,  3B201BB83 ,  4H003AC08 ,  4H003AC23 ,  4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003EA21 ,  4H003EA23 ,  4H003EB19 ,  4H003EB21 ,  4H003ED02 ,  4H003ED28 ,  4H003ED29 ,  4H003ED30 ,  4H003ED31 ,  4H003ED32 ,  4H003FA15 ,  5F043AA01 ,  5F043AA07 ,  5F043AA26 ,  5F043BB27 ,  5F043EE07 ,  5F043EE28 ,  5F043GG10