光デイスク及び光デイスクの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田辺恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-035523
公開番号（公開出願番号）：特開平9-204686
出願日： 1996年01月29日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】デイスクの製造が可能なスキユーマージンを確保し、かつデイスクの強度を確保しながらデイスクの記録密度を向上させることが困難であつた。【解決手段】一面(11A)に記録信号に応じた凹凸パターンが形成されると共に一面(11A)に反射膜層(12)が形成されてなる光デイスク(10)及び当該光デイスク(10)の製造方法において、記録信号に応じた凹凸パターンが形成される第1の領域(11A1 )における厚み(h1 )が当該第1の領域(11A1 )以外の第2の領域(11A2 )における厚み(h2 )より薄くなるように基板(11)を作成する。これにより、光デイスク(10)の強度と、デイスクの製造が可能なスキユーマージンを確保することができ、かくして単一基板で記録密度の高密度化に対応し得る光デイスク及び光デイスクの製造方法を実現することができる。

請求項（抜粋）：

一面に記録信号に応じた凹凸パターンが形成されると共に上記一面に反射膜層が形成されてなる光デイスクにおいて、上記凹凸パターンが形成された第1の領域における厚みが当該第1の領域以外の第2の領域における厚みよりも薄く形成された基板を具えることを特徴とする光デイスク。

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