特許
J-GLOBAL ID:200903031144487344
磁束密度が高くかつ鉄損の低い方向性電磁鋼板の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
杉村 興作 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-001911
公開番号(公開出願番号):特開2003-201515
出願日: 2002年01月09日
公開日(公表日): 2003年07月18日
要約:
【要約】【課題】 インヒビタを使用せずに製造する場合であっても、磁束密度が十分に高くかつ鉄損の低い方向性電磁鋼板を有利に得ることができる製造方法を提案する。【解決手段】 質量%で、C:0.08%以下、Si: 2.0〜 8.0%およびMn:0.005〜3.0 %を含む溶鋼を用いて製造したスラブを、熱間圧延し、必要に応じて熱延板焼鈍を施したのち、1回または中間焼鈍を挟む2回以上の冷間圧延を施し、ついで低酸化性または非酸化性雰囲気中にて再結晶焼鈍を行い、再結晶焼鈍後のC量を 0.005〜0.025 %の範囲として二次再結晶焼鈍を行い、その後湿潤雰囲気中にて脱炭焼鈍を施したのち、低酸化性または非酸化性雰囲気下で 800°C以上の温度域に少なくとも10秒間滞留する連続焼純を施す。
請求項(抜粋):
質量%で、C:0.08%以下、Si: 2.0〜 8.0%およびMn:0.005〜3.0 %を含む溶鋼を用いて製造したスラブを、熱間圧延し、必要に応じて熱延板焼鈍を施したのち、1回または中間焼鈍を挟む2回以上の冷間圧延を施し、ついで低酸化性または非酸化性雰囲気中にて再結晶焼鈍を行い、再結晶焼鈍後のC量を 0.005〜0.025 %の範囲として、二次再結晶焼鈍を行い、その後湿潤雰囲気中にて脱炭焼鈍を施したのち、低酸化性または非酸化性雰囲気下で 800°C以上の温度域に少なくとも10秒間滞留する連続焼鈍を施すことを特徴とする、フォルステライト(Mg2SiO4) を主体とする下地被膜を有しない、磁束密度が高くかつ鉄損の低い方向性電磁鋼板の製造方法。
IPC (6件):
C21D 8/12
, C22C 38/00 303
, C22C 38/04
, C22C 38/60
, H01F 1/16
, H01F 41/02
FI (6件):
C21D 8/12 B
, C22C 38/00 303 U
, C22C 38/04
, C22C 38/60
, H01F 1/16 B
, H01F 41/02 B
Fターム (23件):
4K033AA02
, 4K033CA01
, 4K033CA02
, 4K033CA03
, 4K033CA07
, 4K033CA08
, 4K033CA09
, 4K033FA12
, 4K033HA01
, 4K033HA03
, 4K033MA02
, 4K033MA03
, 4K033NA02
, 4K033NA03
, 5E041AA02
, 5E041CA02
, 5E041HB11
, 5E041NN01
, 5E041NN18
, 5E062AA01
, 5E062AC01
, 5E062AC11
, 5E062AC15
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