特許

J-GLOBAL ID：200903031145791985

化合物半導体エピタキシャルウエハ

発明者： 宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-253081
公開番号（公開出願番号）：特開平10-097994
出願日： 1996年09月25日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシャルウエハにおいて、低温緩衝層上に堆積される積層体構成層の表面に見られるピットの発生、および、表面の段差を抑制、或いは低減する。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシャルウエハにおいて、結晶基板上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなる成長島から構成される薄膜緩衝層を備え、該成長島が、隣接する成長島間の距離を45nm以下とする。また、上記の化合物半導体エピタキシャルウエハにおいて、薄膜緩衝層を構成する各々の成長島の高低差(Δh)を40nm以下とする。

請求項（抜粋）：

結晶基板上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなる成長島から構成される薄膜緩衝層を備え、該成長島が、隣接する成長島間の距離を45nm以下とすることを特徴とする化合物半導体エピタキシャルウエハ。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C