特許
J-GLOBAL ID:200903031146858587

発光アレー装置、その製造方法、光走査装置、および画像形成装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 谷 義一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-218115
公開番号(公開出願番号):特開2001-038960
出願日: 1999年07月30日
公開日(公表日): 2001年02月13日
要約:
【要約】【課題】 電子写真記録方式画像形成装置に用いられる発光アレー装置、その製造方法、当該発光アレー装置を用いた光走査装置、当該発光アレー装置を用いた画像形成装置に関し、市販抵抗を用いる場合の組立作業性の課題とチップ間の駆動電流の相違により生じる特性上の課題を解決する。【解決手段】 要求される発光量値L目標の直線Lpと各チップの特性線c1〜c15の交点の横軸座標値が示す値が各チップによりL目標の発光量を得るために必要な外部電流制限抵抗値の逆数となる。第1チップの特性線c1の交点座標値は1/R1の値とほぼ一致する。他のチップの交点座標値は抵抗逆数値1/R1〜1/R11のいずれとも一致せず、これら交点は同一幅のd1〜d10内にある。Rの次元で公称96系列の市販抵抗値をベースに抵抗値の範囲を区切り、各幅d1〜d10内に交点をもつチップ群を一つの光量ランクに規定し、同一ランクのものを一台の装置に使用する。
請求項(抜粋):
複数の発光素子を所定方向に配列された半導体チップを複数、基板上にほぼ前記所定方向に配列され、各半導体チップにそれぞれ定インピーダンス素子を介して供給される駆動電流にしたがって前記各半導体チップの前記複数の発光素子を発光させる発光アレー装置において、前記基板上の前記各半導体チップの前記複数の発光素子の所定レベルの駆動電流に対する平均発光量は所定光量幅とされ、前記定インピーダンス素子は、前記平均発光量に応じた同一公称抵抗値をもつことを特徴とする発光アレー装置。
IPC (5件):
B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455 ,  G09F 9/33 ,  H01L 33/00
FI (3件):
B41J 3/21 L ,  G09F 9/33 M ,  H01L 33/00 J
Fターム (23件):
2C162AF20 ,  2C162AF22 ,  2C162AF60 ,  2C162FA17 ,  5C094AA03 ,  5C094AA07 ,  5C094AA43 ,  5C094AA55 ,  5C094AA56 ,  5C094BA23 ,  5C094BA24 ,  5C094BA99 ,  5C094CA19 ,  5C094DB01 ,  5C094EA04 ,  5C094GB01 ,  5F041AA05 ,  5F041BB06 ,  5F041BB22 ,  5F041BB25 ,  5F041BB27 ,  5F041CA07 ,  5F041CB22
引用特許:
審査官引用 (5件)
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