特許
J-GLOBAL ID：200903031149028801
多層配線基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-042413
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260762
出願日： 1993年03月03日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：
【要約】【目的】本発明の目的は、新たな形成方法を見出し微細配線を可能とすること。また、配線材料の銅の保護膜としてNiめっき膜を用いることにより容易に多層化ができる多層配線基板の製造方法を提供することにある。【構成】この形成方法は、電子機器の小型化、高密度化ならびにこれに伴う電気的特性を十分に満足するために微細配線を可能とした多層配線基板の製造方法であり、?@絶縁材料として有機膜上に、低い抵抗配線である銅導体との多層化において銅配線導体にNiめっき保護膜を用いて容易に多層化ができる形成方法、?A新たな形成方法を見出し微細配線が可能となり、この形成方法を繰り返せば何層もの多層化ができる高密度回路基板の製造方法である。
請求項（抜粋）：
セラミック基板上に、Cr薄膜を膜厚0.1〜0.3μmに形成する工程、上記Cr薄膜全面にCu薄膜を膜厚0.5〜5.0μmに形成する工程、上記Cu薄膜上にCr薄膜を膜厚0.05〜0.1μmに形成する工程、上記Cr薄膜上に必要としない部分を選択的にレジストで被う工程、上記Cr薄膜がレジストで被われていないところのCr薄膜をウエットエッチング法により除去する工程、上記除去されたCu薄膜領域のみを電気めっきもしくは、化学めっきによりCu膜を5〜40μmに厚付けする工程、上記該レジストを除去する工程、更に、上記各工程を終えた基板の上層Cr薄膜を除去する工程、ついで、該基板上のCu下地薄膜をライトエッチングする工程、さらに、下層Cr薄膜を除去する工程、上記厚付けCu膜表面に、化学めっきを可能とする触媒を付与する工程、厚付けCuめっき膜の酸化防止と有機絶縁膜との反応防止のために化学Niめっき膜を0.1〜1.0μmに被覆する工程、更に、この上に有機絶縁膜を被覆し該有機絶縁膜にスルーホール等を設け、上記全工程を繰返することにより多層配線基板を形成することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (2件)：
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