特許

J-GLOBAL ID：200903031149054411

フォトレジスト組成物

発明者： 中野 浩二 ,  楠本 匡 ,  藤戸 健史 ,  田中 克知
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-032512
公開番号（公開出願番号）：特開2000-231200
出願日： 1999年02月10日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体製造に使用されるフォトレジストであって、塗布均一性に優れ、現像後のパターン欠陥が少なく、且つ焦点深度の広い組成物を提供する。【解決手段】 少なくともアルカリ可溶性樹脂、感放射線性物質及び溶媒を含有するフォトレジスト塗布組成物であって、常圧にて製造され、容器内に密閉保持されている該組成物を、200mmHgの減圧下に曝した後の粒径0.3μm以上の液中パーティクルカウントの増分が500個/ml以下である半導体製造用フォトレジスト塗布組成物。

請求項（抜粋）：

少なくともアルカリ可溶性樹脂、感放射線性物質及び溶媒を含有するフォトレジスト組成物であって、常圧にて容器内に密閉保持されている該組成物を、200mmHgの減圧下に保持した後の粒径0.3μm以上の液中パーティクルカウントの増分が500個/ml以下である半導体製造用フォトレジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/26 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/023 511 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/26 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/023 511 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (18件)：

2H025AA00 ,  2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AA18 ,  2H025AB16 ,  2H025BE01 ,  2H025BJ00 ,  2H025BJ03 ,  2H025CB17 ,  2H025CB29 ,  2H025CB42 ,  2H025CC03 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA09 ,  2H096LA17 ,  2H096LA30