特許
J-GLOBAL ID：200903031149925382
輻射線放出ダイオードの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-250555
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162101
出願日： 1994年10月17日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 始動電流が低く、最大放射出力が高い輻射線放出半導体ダイオードを得ることのできる輻射線放出ダイオードの製造方法を提供せんとする。【構成】 被膜2の被着前に犠牲層1上に無機材料を具える保護層3を設ける。斯かる保護層によって犠牲層1への損傷を防止し、従って最早除去し得ない被膜2の部分が例えば金属層7を具える第1側面11に堆積されるのを防止する。保護層3は金属例えばアルミニウムを具える。これによって犠牲層1が被膜2のスパッタリング堆積処理で放出された紫外線のために不所望に溶解されるようになるのを防止する。これによって不所望な半田付け特性となる金属層7の犠牲層1の残部を防止する。斯くして製造したレーザダイオードはその使用寿命が長く、しかも高出力の用途に極めて好適である。
請求項（抜粋）：
輻射線放出半導体ダイオード(10)を製造するに当たり、ポリマーを具える犠牲層(1)を少なくとも1つの輻射線放出半導体ダイオード(10)を含む半導体本体(20)の第1側面(11)に設け、次いで被膜(2)を前記第1側面(11)および半導体本体(20)の第2側面(12)に設け、この第2側面は前記第1側面(11)とある角度をなすとともにダイオード(10)によって発生する輻射線の出射面を形成し、その後前記第1側面(11)を前記犠牲層(1)およびそのエッチングにより上側に位置する前記被膜2の一部分(2′)に向けて発散するようにして輻射線放出ダイオードを製造するに当たり、無機材料の保護層(3)を前記被膜(2)の形成前に前記犠牲層(1)に設けるようにしたことを特徴とする輻射線放出ダイオードの製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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