特許

J-GLOBAL ID：200903031151495590

半導体装置

発明者： 國清 辰也
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-004266
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196372
出願日： 2000年01月13日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】 配線が伝達する信号に重畳するノイズ、または、クロストークを低減する。【解決手段】 複数層にわたる配線8,19,28と同一層に、ダミー配線9,21,25が、それぞれ形成されている。ダミー配線9,21,25の間がダミープラグ22,26で接続されている。少なくともダミー配線9a,21a,21c,25aおよびダミープラグ22a,26a,26cは、接地電位に固定されている。

請求項（抜粋）：

半導体装置であって、主面を有し、当該主面に沿って半導体素子が作り込まれている半導体基板と、前記主面の上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜で隔てられる複数層にわたって配設された導電性の配線と、前記層間絶縁膜で隔てられ、前記複数層に含まれる二層以上の層にわたって、前記配線と同一層に配設された導電性のダミー配線と、前記二層以上の層の間で前記ダミー配線を相互に接続するように前記層間絶縁膜の中に選択的に埋設され、さらに、前記配線に含まれ低電位側電源線または高電位側電源線が伝える電位を基準として一定の電位を保持する安定電位線に、前記ダミー配線とともに接続されている導電性のダミープラグと、を備える半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 21/88 S ,  H01L 27/04 D

Fターム (44件)：

5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK25 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033MM23 ,  5F033MM30 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033TT02 ,  5F033VV00 ,  5F033VV01 ,  5F033VV03 ,  5F033VV04 ,  5F033VV05 ,  5F033XX01 ,  5F033XX22 ,  5F033XX23 ,  5F033XX24 ,  5F038BH10 ,  5F038BH16 ,  5F038CD02 ,  5F038CD03 ,  5F038CD10 ,  5F038CD13 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特公昭52-025324