特許

J-GLOBAL ID：200903031153819805

マイクロバルブの製造方法

発明者： 山岸 秀章 ,  尾上 寧 ,  蒲原 敦彦 ,  上村 敬司
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
代理人 (1件)： 小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-064914
公開番号（公開出願番号）：特開平5-263957
出願日： 1992年03月23日
公開日（公表日）： 1993年10月12日
要約：

【要約】【目的】 開閉部の平行度がすぐれ,シール性を向上させる事が可能なマイクロバルブの製造方法を提供する。【構成】 基板31の少なくとも一方の面(表面)に半導体プロセスにより該基板とは異なるエッチング特性を有する第1薄膜32を形成する工程と,前記第1薄膜を含む基板上に第1薄膜とは異なるエッチング特性を有する第2薄膜33を形成する工程と,前記Si基板の他方の面(裏面)の所定の個所から異方性エッチングを行い前記第1薄膜に達する微細孔37を形成する工程と,前記微細孔を介して前記基板表面に形成された第1薄膜を除去する工程を含んでいる。

請求項（抜粋）：

1) 基板の少なくとも一方の面(表面)に半導体プロセスにより該基板とは異なるエッチング特性を有する第1薄膜を形成する工程。2) 前記第1薄膜を含む基板上に前記第1薄膜とは異なるエッチング特性を有する第2薄膜を形成する工程。3) 前記Si基板の他方の面(裏面)の所定の個所から異方性エッチングを行い前記第1薄膜に達する微細孔を形成する工程。4) 前記微細孔を介して前記基板表面に形成された第1薄膜を除去する工程。を含むことを特徴とするマイクロバルブの製造方法。

IPC (2件)：

F16K 31/02 ,  G01N 30/26