特許
J-GLOBAL ID：200903031156836689
X線検出器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-043620
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254724
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：
【要約】【目的】 低いバイアス電圧で動作し、高効率、高感度、かつ速い応答時間でX線を検出でき、しかも高温に耐え、X線による損傷も受けずに寿命が長いX線検出器を提供する。【構成】 p型α-SiC基板(10)、基板(10)上に形成されたp型SiCエピタキシャル層(11)、p型SiCエピタキシャル層(11)上に形成されたn+ 型SiCエピタキシャル層(12)、基板(10)にオーミック接触する電極(13)、およびn+ 型SiCエピタキシャル層(12)にオーミック接触する電極(14)を有する紫外線検出部と、n+ 型SiCエピタキシャル層(12)に接触して形成され、X線の照射により紫外線を放射する光変換層(100)とを具備する。
請求項（抜粋）：
第1導電型のα-SiC基板、該基板上に形成された第1導電型のSiC層、該SiC層上に形成された第2導電型の高濃度SiC層、前記第1導電型の基板にオーミック接触する電極、および前記第2導電型の高濃度SiC層にオーミック接触する電極を有する紫外線検出部と、前記第2導電型の高濃度SiC層に接触して形成され、X線の照射により紫外線を放射する光変換層とを具備したことを特徴とするX線検出器。
IPC (3件)：
H01L 31/09
, G01T 1/20
, G01T 1/24
