特許

J-GLOBAL ID：200903031158186401

絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： 阿部 竜一郎 ,  小野田 邦広 ,  大島 久純
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 伊藤 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-067502
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264774
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 p+ 型ポリシリコンゲート電極を有する電界効果トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜に依存せずにBの突き抜けを防止することを目的とする。【構成】 図1(A)の工程において、半導体基板11にフィールド絶縁膜12を形成した後、全面的に酸化してゲート酸化膜13を形成し、その上にノンドープのポリシリコン膜14を堆積する。図1(B)の工程において、ポリシリコン膜14上から炭素をイオン注入する。図1(C)の工程において、ポリシリコン膜14上からボロンをイオン注入し、その後、このポリシリコン膜14を選択的にエッチングしてゲート電極15を形成する。その後、図1(D)以降の工程において、ソース・ドレイン領域18の形成等により、p+ ポリシリコンゲート電極を有するpチャネル絶縁ゲート型電界効果トランジスタを完成させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に形成されたゲート絶縁膜を介し、p型不純物を含むp+ 型シリコン膜のゲート電極が形成された絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、前記p+ 型シリコン膜のゲート電極中に、前記p型不純物の前記ゲート絶縁膜への拡散抑制用の炭素が含まれていることを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 658 G