特許

J-GLOBAL ID：200903031163679297

InP基板へ格子整合された青色及び濃青色レーザー構造

発明者： シャーザド カリッド ,  スヌークス エドウィン
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-529286
公開番号（公開出願番号）：特表2000-511003
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】InP基板へ格子整合されたII-VI族半導体レーザーである。隣接層のバンドギャップエネルギーでの差が充分に大きいので、生じる電気的及び光学的閉じ込めが実行可能なしきい電流密度を与える。Zn,Te及びSeから成るpドープされた接触層がその構造へ格子整合され;Teの介在物が強められたpドーピングを与える。勾配を付けられた領域と一緒に、基板とレーザー構造との間に挿入されたバッファ層がその構造内への電子注入を促進する。

請求項（抜粋）：

Mg,Zn,Cd及びSeから選択された元素による化合物のII-VI族層から構成さ れた半導体レーザーであって、前記の層がInP基板に格子整合されている半導 体レーザー。