特許

J-GLOBAL ID：200903031169679159

半導体光増幅素子

発明者： 橋本 順一
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  柏岡 潤二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-095613
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278729
出願日： 2005年03月29日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】 自然放出増幅光を低減することが可能であり、低コスト、且つ小型化が可能な半導体光増幅素子を提供する。【解決手段】 本発明の一実施形態に係る半導体光増幅素子は、第1導電型の下部クラッド層、第2導電型の上部クラッド層、活性層、回折格子層を備えている。下部クラッド層は、所定方向に順に設けられた第1の領域及び第2の領域を表面に有する。上部クラッド層は、第1の領域に支持されている。活性層は、外部からの光を受ける一端と増幅した光を出力する他端とを有しており、下部クラッド層の第1の領域と上部クラッド層との間に設けられている。回折格子層は、活性層の他端と光学的に結合された一端及び所定方向に沿って設けられた回折格子を有しており第2の領域に支持されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

所定方向に順に設けられた第1の領域及び第2の領域を有する第1導電型の下部クラッド層と、 前記第1の領域に支持された第2導電型の上部クラッド層と、 前記下部クラッド層の前記第1の領域と前記上部クラッド層との間に設けられた活性層と、 前記活性層と光学的に結合され、前記所定方向に沿って設けられた回折格子を有し、前記第2の領域に支持された回折格子層と、 を備える半導体光増幅素子。

IPC (2件)：

H01S 5/50 ,  G02F 1/313

FI (2件)：

H01S5/50 610 ,  G02F1/313

Fターム (20件)：

2K002AA02 ,  2K002AB03 ,  2K002BA08 ,  2K002CA13 ,  2K002DA06 ,  2K002EA07 ,  2K002HA08 ,  5F173AA22 ,  5F173AA44 ,  5F173AA53 ,  5F173AB53 ,  5F173AB78 ,  5F173AD22 ,  5F173AG22 ,  5F173AH04 ,  5F173AH12 ,  5F173AL06 ,  5F173AR03 ,  5F173AR06 ,  5F173AR94

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-166919
  
• 特開平2-226233