特許
J-GLOBAL ID：200903031170980393
半導体基板の微細加工用の加工針及び半導体基板の微細加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-126544
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289192
出願日： 1996年04月23日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：
【要約】【課題】 原子間力顕微鏡の探針を用いた使用寿命の長い加工針を得ると共に、半導体ウエハの表面の長時間かつ高精度な微細加工を可能にする。【解決手段】 加工針1は、原子間力顕微鏡に用いられる例えばシリコン材質の探針2の表面がシリコン酸化膜3によって覆われている。シリコンウエハ5の表面を加工液6例えばpH10.5のKOH水溶液中に浸し、アーム4の加工針1に荷重F例えば300nNの力を加えて、加工針1をウエハ5の表面に押し当てる。加工液6による化学的作用及び加工針1による機械的作用によって、ウエハ5の表面に対して、加工スパンLが例えば1μmで加工深さHが例えば0.5nmの加工を行う。加工針1の表面がシリコン酸化膜3で覆われていることにより、従来のシリコンの探針のようにKOH水溶液中にシリコンが溶出することがないので、加工針1の摩耗が極めて少なくなり、加工針1の寿命を大幅に延ばすことができ、ウエハ5の表面の高精度な微細加工を長時間行うことができる。
請求項（抜粋）：
原子間力顕微鏡に用いられる探針からなり、半導体基板の表面を微細加工するための加工針であって、前記探針の表面がシリコン酸化膜によって覆われていることを特徴とする半導体基板の微細加工用の加工針。
FI (2件)：
H01L 21/306 J
, H01L 21/306 Z
