特許

J-GLOBAL ID：200903031174252783

半導体集積回路装置のデータ処理方法および半導体集積回路装置

発明者： 小笠原 誠
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-242774
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092793
出願日： 1995年09月21日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】 DRAMのメモリセルの情報保持時間を長くする。【解決手段】 半導体チップ1に形成されたDRAMのメモリセルにおける情報読み出しに際して、データ線DLに印加するプリチャージ電圧を0<プリチャージ電圧<電源電圧(VDD)/2とする。

請求項（抜粋）：

DRAMを備える半導体集積回路装置のデータ処理に際して、データ線に印加するプリチャージ電圧を電源電圧以外で、かつ、電源電圧の半分以外の電圧値に設定することを特徴とする半導体集積回路装置のデータ処理方法。

IPC (3件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  G11C 11/409

FI (3件)：

H01L 27/10 681 C ,  G11C 11/34 353 F ,  H01L 27/10 681 B