特許
J-GLOBAL ID：200903031177548977
バイアススパッタによる薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 正次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-165722
公開番号（公開出願番号）：特開平7-018437
出願日： 1993年07月05日
公開日（公表日）： 1995年01月20日
要約：
【要約】【目的】 放電開始を容易にしたバイアススパッタによる薄膜形成方法を提供することを目的としている。【構成】 ターゲットおよび基板電極の両方に高周波電力を印加して、両電極間で放電によるプラズマを形成し、基板表面に薄膜を形成するバイアススパッタ法において、ターゲット2と基板電極3の間の距離を、放電開始可能距離に設定して放電を開始させた後、ターゲット2と基板電極3の間の距離を近接させて基板6の表面に所要の薄膜形成を行う。
請求項（抜粋）：
ターゲットおよび基板電極の両方に高周波電力を印加して両電極間で放電によるプラズマを形成し、基板表面に薄膜を形成するバイアススパッタ法において、前記ターゲットと基板電極の間の距離を、放電開始可能距離に設定して放電を開始させた後、ターゲットと基板電極の間の距離を近接させて基板表面に所要の薄膜形成を行うことを特徴とするバイアススパッタによる薄膜形成方法。
引用特許：
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