半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-189336
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040716
出願日： 1997年07月15日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】本発明は、はんだボールの形成、はんだ強度不足、位置ずれ等のはんだ付け不良の発生の防止を目的とする。【解決手段】本発明の半導体装置は、金属ベースと、上下両面にそれぞれ上部電極及び下部電極を有する絶縁基板と、上記下部電極と上記金属ベースとの間に介設されたはんだ膜と、上記絶縁基板の上面に設けられ且つ上記上部電極に電気的に接続された半導体素子とを具備し、上記はんだ膜には上記絶縁基板と上記金属ベースとの距離を一定に保持する導電性の粒子が設けられているものである。

請求項（抜粋）：

金属ベースと、一方の面に上部電極が設けられ且つ他方の面に下部電極が設けられた絶縁基板と、上記下部電極と上記金属ベースとの間に介設されたはんだ膜と、上記上部電極に電気的に接続された半導体素子とを具備し、上記はんだ膜には上記金属ベースと上記絶縁基板との距離を一定に保持する導電性の粒子が混入されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/40 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (2件)：

H01L 23/40 F , H01L 25/04 C

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