特許
J-GLOBAL ID:200903031186191780
半導体ウエハの処理方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
杉谷 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-244884
公開番号(公開出願番号):特開平5-063077
出願日: 1991年08月29日
公開日(公表日): 1993年03月12日
要約:
【要約】【目的】 ダイシング工程で半導体ウエハの裏面に粘着テープを貼付ける際の外圧から半導体ウエハを保護する。【構成】 ダイシング工程の前工程であるバックグラインド工程でウエハWの表面に貼付けられた保護粘着テープ2を剥離せずに、ウエハWをウエハ貼付けローラ11と押付けローラ12との間に送り込んで上方から加圧し、ウエハWの裏面に粘着テープ15を貼付ける。保護粘着テープ2によってウエハWの機械的強度は増し、押付けローラ12の付勢力から保護される。また、ウエハWの表面に形成された回路パターンと押付けローラ12とが直接に接触することがなく、回路パターンの損傷, 汚染も防止される。
請求項(抜粋):
半導体ウエハの表面に保護粘着テープを貼付けて裏面を切削・研磨するバックグラインド工程と、バックグラインドされた半導体ウエハの裏面に粘着テープを貼付けてリング状のフレームにマウントし、前記マウントされた半導体ウエハをカッティングして個々の素子を分断するダイシング工程とを順に処理していく半導体ウエハの処理方法において、前記ダイシング工程で半導体ウエハの裏面に粘着テープを貼付けてリング状のフレームにマウントした後に、前記バックグラインド工程で半導体ウエハの表面に貼付けられた前記保護粘着テープを剥離することを特徴とする半導体ウエハの処理方法。
引用特許:
審査官引用 (1件)
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-181484
出願人:日本電気株式会社
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