特許

J-GLOBAL ID：200903031196719081

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 竹内 辰也
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-026404
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223974
出願日： 1997年02月10日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体レーザ及びその製造方法に関し、埋込ヘテロ接合構造半導体レーザの温度特性及び高出力特性を向上させる。【解決手段】 {100}面を主面とする半導体基板1上に、活性層3を含むストライプ状メサ5を〔01-1〕方向に設けると共に、ストライプ状メサ5を埋め込む埋込層6上に設けるn型電流ブロック層7の上面をストライプ状メサ5の頂面より高くし、且つ、n型電流ブロック層7の端面を少なくとも{111}A面9で構成する。

請求項（抜粋）：

{100}面を主面とする半導体基板上に、活性層を含むストライプ状メサを〔01-1〕方向に設けると共に、前記ストライプ状メサを埋め込む埋込層上に設けるn型電流ブロック層の上面を前記ストライプ状メサの頂面より高くし、且つ、前記n型電流ブロック層の端面が少なくとも{111}A面で構成されていることを特徴とする半導体レーザ。