特許
J-GLOBAL ID：200903031201049871
同期型半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-033836
公開番号（公開出願番号）：特開平10-228772
出願日： 1997年02月18日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：
【要約】【課題】 動作状況に応じて最適なパルス幅を有する内部クロック信号を発生し、正確に内部データを転送する。【解決手段】 内部クロック発生回路は、外部クロック信号に同期して発生される内部クロック信号(intCLK)を発生する部分と、この内部クロック信号のパルス幅を動作状況に応じて設定するパルス幅設定回路(20p,20q,20r,20s,20f,20g)を含む。動作状況に応じて、生成される内部クロック信号のパルス幅を調整することにより、最適なパルス幅を有する内部クロック信号を容易に生成することができる。
請求項（抜粋）：
複数の動作モードで動作可能でありかつ外部から与えられる所定の幅を有する外部クロック信号に同期してデータの入出力を行なう同期型半導体記憶装置であって、前記外部クロック信号から内部クロック信号を生成する内部クロック生成手段、および前記内部クロック生成手段に結合され、前記複数の動作モードのうちの1つの動作モードを特定する動作モード特定信号に従って、前記内部クロック信号のパルス幅を設定するパルス幅設定手段を備える、同期型半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 11/34 354 C
, G11C 11/34 362 S
