特許
J-GLOBAL ID：200903031201787660
多孔質表面特性を備えた多孔質誘電材料
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-157881
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046047
出願日： 1995年06月23日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】 本発明は半導体デバイス用の進歩した多孔質構造およびそれを作製するためのプロセスを提供する。【構成】 本プロセスは既存の、例えば、パターン化された導体24間に堆積された多孔質構造28に対して適用することができる。本プロセスは前記構造を還元性雰囲気、好ましくはフォーミングガス中でベーキングして、多孔質表面を脱ヒドロキシル化する工程を含むことができる。本プロセスは前記構造をハロゲンを含む雰囲気中でベーキングしてハロゲンを多孔質表面へ結合させる工程を含むことができる。そのように処理された多孔質構造は、一般に、未処理の試料に比べて進歩した誘電特性を示すことが見いだされた。
請求項（抜粋）：
半導体デバイス上の多孔質誘電材料を改質する方法であって、(a)2ないし80nmの平均孔径を有するキャップされていない多孔質誘電材料層を含む基板を提供すること、および(b)制御された雰囲気中で前記基板を100ないし490°Cの範囲の1つまたは複数の温度へ加熱し、それによって前記多孔質誘電材料の多孔質表面に初期に存在していた水酸基の少なくとも70%を前記多孔質誘電材料から除去し、それによって多孔質誘電材料の1つまたは複数の誘電特性を改善すること、の工程を含む方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/316
