特許

J-GLOBAL ID：200903031207105510

半導体装置の製造装置および製造方法

発明者： 古川 亮一 ,  佐藤 賢市 ,  大坪 宏 ,  國友 正人 ,  鈴木 智 ,  道源 鉄也 ,  植村 俊雄 ,  本間 琢朗
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-217922
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044389
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 加水分解性の液体材料が大気と接触するのを確実に防止できる液体自動供給システムを提供する。【解決手段】 このCVD装置50は、処理室51にペンタエトキシタンタル(PET)を供給するための容器53に予備容器73を接続し、容器53内のペンタエトキシタンタル(PET)の残量が少なくなったときは、配管54と容器53とを切り離して新しい容器53と交換するのではなく、予備容器73からペンタエトキシタンタル(PET)を補充する。これにより、配管54と容器53とを切り離すためのジョイント61jを通じて配管54内に大気が侵入し、配管54内の残留ペンタエトキシタンタル(PET)が加水分解されて酸化タンタルが生成することはない。

請求項（抜粋）：

加水分解性を有する第1の液体が密封された第1の容器と半導体ウエハを収容する処理室とを第1の配管を介して接続し、前記第1の配管の途中に設置された気化手段によってガス化された前記第1の液体と、第2の配管を通じて前記処理室に供給された第2のガスとを反応させることによって、前記半導体ウエハの主面に薄膜を形成する半導体装置の製造装置であって、前記第1の容器よりも容量が大きい第2の容器に前記第1の液体を密封し、前記第1の容器と前記第2の容器とを第3の配管を介して接続したことを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/10 451

FI (5件)：

H01L 27/10 621 C ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651

Fターム (35件)：

5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AF03 ,  5F045EB02 ,  5F045EB05 ,  5F045EC07 ,  5F045EE02 ,  5F045GH09 ,  5F045HA05 ,  5F045HA13 ,  5F045HA15 ,  5F045HA16 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF02 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BG10 ,  5F058BJ01 ,  5F083AD24 ,  5F083AD62 ,  5F083JA06 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40