特許

J-GLOBAL ID：200903031210545490

結晶成長方法および装置

発明者： 堺 英樹 ,  朝日 聰明
出願人/特許権者： 日本鉱業株式会社
代理人 (1件)： 並川 啓志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-225277
公開番号（公開出願番号）：特開平5-043375
出願日： 1991年08月12日
公開日（公表日）： 1993年02月23日
要約：

【要約】【構成】 円筒上の加熱体と、この加熱体の内側に配置され、原料の入ったるつぼを支持する支持体とからなり、上記加熱体により所望の温度勾配を形成して、るつぼ内の原料を融解させてから徐々に温度を下げることにより種結晶から単結晶を育成する装置において、上記支持体の種結晶周辺部分の材質を上下2分割とし、上半分を熱伝導率の高い材料、下半分を熱伝導率の低い材料とする。【効果】 種結晶下部の温度勾配が急峻になり、周囲の温度環境が多少変化しても種付け位置がほとんど変化しなくなり、製造歩留まりが向上する。

請求項（抜粋）：

るつぼ内の原料を融解させてから徐々に温度を下げることにより種結晶から単結晶を育成する方法において、種結晶下部の垂直方向の温度勾配を種結晶上部の垂直方向の温度勾配より大きくすることを特徴とする結晶成長方法。