特許
J-GLOBAL ID：200903031216420002
光半導体デバイス及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-242035
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074430
出願日： 1993年09月02日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】マスクの種類により成長膜のバンドギャップを制御する光半導体デバイスの製造方法及び光半導体デバイスである。【構成】核形成密度が異なる2種以上の非単結晶質102、103と半導体単結晶とを表面に有する基板101を用いて、半導体単結晶上に選択的に結晶成長を行い、バンドギャップの変化した層構造104を持つ光半導体デバイスを実現する。核形成密度が異なる2種以上の非単結晶質は材料が異なっていてもよいし、また表面状態が異なっていてもよい。
請求項（抜粋）：
核形成密度が異なる2種以上の非単結晶質と半導体単結晶とを表面に有する基板を用いて、該半導体単結晶上に選択的に結晶成長することを特徴とする光半導体デバイスの製造方法。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, H01L 21/205
, H01L 27/15
, H01L 33/00
